[发明专利]半导体设备和制造半导体设备的方法在审
申请号: | 202210707666.5 | 申请日: | 2022-06-21 |
公开(公告)号: | CN115527931A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 觸泽绫子;立石禄则;冨吉俊夫;蜂巢高弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L23/48 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了半导体设备和制造半导体设备的方法。所公开的制造半导体设备的方法包括将接合基板分割成多个半导体设备,接合基板包括设置有互连结构层和第一接合层的第一基板、以及设置有与第一接合层相对的第二接合层的第二基板。接合基板在平面图中包括功能元件区域和划线区域。该分割包括在划线区域中形成凹槽,并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板。贯穿第一基板和第二基板中的一个、互连结构层、以及第一接合层和第二接合层的凹槽被形成。凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造