[发明专利]光刻对准标记在审
| 申请号： | 202210714670.4 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115117023A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王思顺;赵婧 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻对准标记，其形成于薄膜层中，该薄膜层需要依次通过N次刻蚀分别形成N种刻蚀图形，N为自然数，N≥2，从俯视角度观察，该对准标记包括：N个对准图形，每个对准图形具有其对应的刻蚀图形，且每个对准图形之间不具有交叠区域，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成。本申请通过将对准标记设置为N个互相之间不具有交叠区域的对准图形，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成，从而避免了需要进行多次刻蚀的薄膜层每次光刻中都使用位于同一位置的对准标记导致该对准标记经过多次刻蚀后叠加的深度较深的问题，在一定程度上提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 | ||
【主权项】：
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