[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210716509.0 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115172262A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;杨渝书;耿金鹏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/765 | 分类号： | H01L21/765;H01L21/8244;H01L27/11;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有第一区及第二区，第一区上设有第一鳍片，第二区上设有第二鳍片，第一鳍片与第二鳍片的导电类型相反；依次形成硬掩模材料层及侧墙材料层，使相邻的第一鳍片与第二鳍片之间的侧墙材料层合并形成边界侧墙；利用硬掩模材料层，并以边界侧墙作为第一区及第二区的间隔层，在第一区形成第一外延结构，在第二区形成第二外延结构。本发明中，利用侧墙材料层在第一鳍片与第二鳍片之间合并形成边界侧墙，并作为后续第一外延结构及第二外延结构的间隔层，从而防止第一外延结构与第二外延结构的短接问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
