[发明专利]弱化结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210733188.5 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN114899284A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈书志 | 申请（专利权）人： | 上海闻泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人： | 林玉旋;万振雄 |
| 地址： | 200001 上海市黄浦区北*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种弱化结构及其制作方法，弱化结构的制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成具有多个镂空位的桥接层，将多个Micro‑LED芯片分别沉积于对应的镂空位，以使Micro‑ELD芯片连接于衬底及镂空位，在衬底或桥接层上沉积支撑层，沿衬底的厚度方向上，支撑层凸出Micro‑LED芯片设有电极的一端，支撑层位于桥接层的外周，以使支撑层对应镂空位形成避让位，在支撑层上沉积牺牲层，以使牺牲层填充避让位、镂空位，在牺牲层上设置第一载板，去除衬底及牺牲层，以使Micro‑LED芯片至少部分悬空于避让位中，以形成弱化结构。采用本申请的方案，有利于降低Micro‑LED芯片的转移难度，同时也能够降低在转移时对Micro‑LED芯片造成损坏的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 弱化 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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