[发明专利]一种LDMOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202210745452.7 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114823345B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 姜钦;于绍欣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS晶体管及其制作方法，该LDMOS晶体管包括衬底、埋层、外延层、栅极结构、层间介质层及第一插塞，其中，埋层位于衬底的上表层；外延层位于埋层上表面，外延层包括有源区及位于有源区中的漂移区，漂移区的上表层设有漏极区，栅极结构位于漂移区的上表面；层间介质层覆盖栅极结构与有源区的显露表面，层间介质层中显露漏极区的第一接触孔，填充第一接触孔的第一插塞为非晶化第一插塞，第一插塞与漏极区接触处设有非晶化接触区。本发明通过于LDMOS晶体管通过将第一接触孔过刻并填充非晶化第一插塞，且第一插塞与漏极区的接触处形成非晶化高阻区，降低了第一插塞的阻值的同时增大漂移区电阻，继而缩小器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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