[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210751816.2 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115621229A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 黄贤洙;权俊润;朴点龙;宋乺智;吴东俊;李忠善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L25/18;H10B80/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：绝缘层，所述绝缘层位于衬底上；通路，所述通路从衬底内延伸并且延伸穿过所述衬底的一个面和在所述绝缘层中限定的沟槽的底面，使得所述通路的侧壁的一部分和顶面通过所述衬底暴露；以及焊盘，所述焊盘接触所述通路的所述侧壁的被暴露的所述一部分和所述顶面。所述焊盘填充所述沟槽。所述绝缘层包括位于所述衬底上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层。在所述钝化层和所述保护层之间不存在蚀刻停止层。所述沟槽的底面的垂直高度高于所述衬底的一个面的垂直高度并且低于所述钝化层的顶面的垂直高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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