[发明专利]一种晶体管、制备方法及存储器在审
| 申请号： | 202210755199.3 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115207093A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;余泳;邵光速 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 孔凡梅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开适用于半导体领域，提供了一种晶体管、制备方法及存储器，所述晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的硅支柱以及设置在硅支柱周围的栅极；所述栅极接近硅支柱的侧面为第一表面，远离硅支柱的侧面为第二表面，所述第一表面的长度小于第二表面的长度；所述栅极的第一表面的长度小于硅支柱上的沟道区长度。通过调整栅极长度以及源/漏区离子掺杂浓度梯度，使得栅极与沟道区之间部分重叠的长度增长，源/漏区离子掺杂浓度梯度分布平缓，增大带带遂穿的宽度，从而有效的改善沟道与栅极之间的带带遂穿，缓解由L‑BTBT引发的关态漏电，降低器件的GIDL效应，能够提高晶体管及相关存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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