[发明专利]一种基于双异质结的CMOS晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210762296.5 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115172368A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈楷;张雅超;马金榜;张进成;马晓华;马佩军;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06;H01L21/86;H01L29/205 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于双异质结的CMOS晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、第一AlN层、第二AlN层、GaN缓冲层以及SiN隔离层，其中，SiN隔离层上开设有P‑HEMT有源区凹槽和N‑HEMT有源区凹槽；P‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有GaPN背势垒层、第一AlPN势垒层、第一GaPN沟道层和第一GaN帽层；N‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有AlPN背势垒层、第二GaPN沟道层、第二AlPN势垒层和第二GaN帽层；第一GaN帽层上表面设置有第一源极、第一漏极和第一栅极；在第二GaN帽层上表面设置有第二源极、第二漏极和第二栅极。本发明的AlPN/GaPN异质结可以实现晶格匹配，异质结的面内应力均可得到有效缓解，能够有效提升二维电子气的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双异质结 cmos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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