[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210767152.9 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115706021A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 田中才工;古田旭 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/433;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够抑制由填充的密封部件引起的引线的变形。所述制造方法包括：成型工序，在俯视时，在注入口(84a～84f)与控制引线(22c、22b)之间且在将注入口(84a～84f)与控制引线(22c、22b)连结的线上配置控制销(87)，将成型树脂原料从注入口(84a～84f)注入到型腔(83)内，利用成型树脂原料填充型腔(83)内，将配置于主电流引线框及控制引线框的半导体芯片及控制元件密封。由此，能够降低成型树脂原料相对于控制引线(22c、22b)的流速。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
