[发明专利]片式压敏电阻器及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202210767580.1 申请日: 2022-07-01
公开(公告)号: CN115073163B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 苏财能;刘季超;肖倩;林亚梅;陈樱琳;李耀坤 申请(专利权)人: 深圳振华富电子有限公司
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88;H01C7/10;H01C7/105
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 曹柳
地址: 518000 广东省深圳市龙华区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请属于电阻器技术领域,尤其涉及一种片式压敏电阻器及制备方法和应用。包括步骤:制备摩尔比为(1.0~2.0):(1.0~2.0):(0.4~0.8):(0.4~0.8):(0.4~0.8):(1.0~2.0):(0.8~1.6):(0.2~0.8):(0.01~0.05):(0.02~0.08)的Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、H3BO3、Zn3(PO4)2·4H2O、Nb2O5、AgNO3和Al(NO3)3·9H2O的添加剂;与主晶相材料、溶剂和助剂混合后制成片式压敏电阻器。降低烧结温度,调整添加剂与主晶相材料的配比,能分别制备低中高不同电位梯度电阻器,简单高效。
搜索关键词: 压敏电阻 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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