[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210799317.0 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115623788A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 崔元根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/10;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 原宏宇;张美芹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一沟道结构和第二沟道结构，二者在第一方向上延伸；第三沟道结构，其设置在第一沟道结构和第二沟道结构之间并且在第一方向上延伸；以及多个导电层，其围绕第一沟道结构、第二沟道结构和第三沟道结构，该多个导电层被层叠以在第一方向上彼此间隔开。第三沟道结构与第一沟道结构和第二沟道结构间隔开，并且没有插置多个导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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