[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210801790.8 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116266610A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 马场祥太郎;雁木比吕;加藤浩朗;下村纱矢;佐藤慎吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够减少损耗的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、半导体部件、第1导电部件、连接部件、第1部件及绝缘部件。连接部件与第1导电部件电连接。第1部件设置于第3电极的第1电极部分与连接部件之间。第2导电区域在第1方向上的位置处于第3部分区域在第1方向上的位置与第1部件在第1方向上的位置之间。第1部件包含与第2导电区域所包含的元素不同的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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