[发明专利]三维存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210802014.X | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115172379A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：制备包括第二衬底、叠层结构、沟道结构和栅极间隙结构的中间体；以及从第二衬底远离叠层结构的一侧处理第二衬底，在第二衬底与栅极间隙结构的栅极间隙对应的位置形成开口，通过在开口中填充半导体材料或者在开口的内壁形成半导体层、并在开口的内部填充绝缘材料，形成源极触点，其中源极触点与栅极间隙结构在叠层结构的堆叠方向上的投影至少部分交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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