[发明专利]曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210805100.6 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN116266034A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 水田吉郎 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/68;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 曝光装置包括台(140)、测量装置(144)和控制装置(10)。控制装置(10)在基板的曝光处理中，基于至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数以及与第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数。控制装置(10)在应用了第1设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第1修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第1修正系数的第3修正系数。控制装置(10)在应用了第2设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第2修正系数的第4修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第2修正系数。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 接合 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210805100.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：半导体存储器件
