[发明专利]一种微发光二极管的巨量转移方法及显示装置在审
| 申请号： | 202210806058.X | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115083987A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李金鹏;杨志富;初宇天;王乐;谢跃贤;周旗旗;齐嘉城;孙亮;董恩凯;赵明海;王立强 | 申请（专利权）人： | 京东方晶芯科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 张佳 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种微发光二极管的巨量转移方法及显示装置，其中，该巨量转移方法包括：提供一粘接有多个微发光二极管的中载基板，以及开设有多个焊盘的显示基板；将所述中载基板粘接有所述多个微发光二极管的一侧置于所述显示基板开设有所述多个焊盘的一侧的上方进行对位；在对所述中载基板施加压力的过程中，从所述中载基板上方采用激光照射所述中载基板，使被照射位置处的所述微发光二极管剥离至所述显示基板。用于避免虚焊问题，提高显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 巨量 转移 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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