[发明专利]半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210807591.8 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115802755A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李赞美;朴相郁;徐艺正;郑祥教 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/50;H10B43/27;H10B43/40;H10B41/41 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张霞;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替重复地堆叠在半导体衬底上的字线和层间介电图案；半导体图案，分别设置在竖直相邻的字线之间；位线，从半导体衬底竖直延伸并接触半导体图案；封盖绝缘图案，设置在位线与字线之间，并覆盖层间介电图案的侧表面；以及存储元件，分别设置在竖直相邻的层间介电图案之间。半导体图案中每一个包括接触位线的第一源/漏区、直接接触存储元件中的一个存储元件的第二源/漏区、以及位于第一源/漏区与第二源/漏区之间的沟道区。第一源/漏区的最大宽度大于沟道区的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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