[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202210811300.2 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116266571A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 青木健;和田政春;石坂守;稻场恒夫 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储器件具备存储单元阵列。存储单元阵列具备多个子阵列。子阵列具备多个存储部、与多个存储部电连接的多个第1半导体层、分别与多个第1半导体层相对向的多个第1栅电极、与多个第1半导体层电连接的第1布线、与多个第1栅电极连接的多条第2布线、与多条第2布线的第1端部电连接的多个第2半导体层、与多个第2半导体层相对向的多个第2栅电极以及与多个第2半导体层电连接的第3布线。存储单元阵列具备跨多个子阵列而在一个方向上延伸、与多个第2栅电极连接的多条第4布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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