[发明专利]存储器元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210811607.2 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116266575A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 萧钏林 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H10B12/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种具有多个字元线(WL)并减少泄漏的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，其定义有一主动区并包括延伸至该半导体基底的一凹槽；以及设置在该凹槽内的一字元线，其中该字元线包括设置在该凹槽内的一绝缘层、由该绝缘层包围的一导电层以及由该导电层包围的一导电构件，并且该绝缘层包括与该凹槽共形的一衬层部分和设置在该导电层之上的一突出部分。本申请还公开一种该存储器元件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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