[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210818531.6 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115172158A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 廉婷;刘宇恒;符云飞;匡定东 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底；在基底上形成半导体层初始掩膜层；对半导体层进行P型掺杂，以将半导体层转换为初始掩膜层；对初始掩膜层进行第一图形化处理，以形成具有开口的掩膜层；以掩膜层为掩膜，并采用刻蚀工艺对基底进行第二图形化处理，刻蚀工艺对基底的刻蚀速率大于对掩膜层的刻蚀速率。本公开实施例至少有利于提高对初始掩膜层和基底的图形化处理精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
