[发明专利]用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法在审
| 申请号： | 202210844467.9 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115295607A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 唐增玉 | 申请（专利权）人： | 唐增玉 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 安徽盟友知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34213 | 代理人： | 樊广秋 |
| 地址： | 311800 浙江省绍兴市诸*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体为用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法,用于碳化硅半导体功率器件复合终端，其特征在于，包括形成在外延层边缘的MOSFET阱区，所述MOSFET阱区的内侧外延层上形成若干个终端单元，每个终端单元均包括一个形成在中部的主掺杂区,主掺杂区的两侧均形成一个次掺杂区，每一个次掺杂区在远离主掺杂区的一侧均形成一个边掺杂区，所述主掺杂区深度大于次掺杂区的深度，所述次掺杂区的深度大于边掺杂区的深度；所述主掺杂区掺杂浓度大于次掺杂区的掺杂浓度，所述次掺杂区的掺杂浓度大于所述边掺杂区的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 半导体 功率 器件 复合 终端 制备 方法 | ||
【主权项】：
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