[发明专利]一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备在审
| 申请号： | 202210844756.9 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115295385A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 黄海涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 帅进军 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极组件包括导电连接筒，以及与导电连接筒的底端连接的匀气盘；导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；匀气盘包括中心通气孔、环绕中心通气孔设置的环形进气通道、环绕环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将环形进气通道和环形出气通道连通的连接通道；中心进气通道与中心通气孔连通；边缘进气通道与环形进气通道连通。本申请中，工艺气体顺着边缘进气通道从环形进气通道进入匀气盘，然后依次通过连接通道和环形出气通道，最终到达晶圆的边缘区域。由于工艺气体映射在晶圆边缘表面的气体分布效果为环形带状分布，分布均匀，从而可以提高晶圆边缘刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 组件 工艺 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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