[发明专利]芯片制造中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法在审
| 申请号： | 202210853666.6 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115203628A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张庆海 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G06F17/11 | 分类号： | G06F17/11;G06F17/13;G06F17/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 王琛 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种针对芯片制造过程中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法，其利用流映射、向后脉线和固定曲面构造生成曲面，进而采用拉格朗日通量算法LFC对三维数值进行求解，得到粒子穿过固定曲面的电通量。对于三维数值的LFC算法，算法的时间区间可以任意的长，并且算法中避免了求曲线交点；且LFC算法实现简单，且具有高精度、高效率以及稳定性，还达到了二、四、六阶收敛率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 中晶圆 注入 离子 环节 高精度 通量 计算方法 | ||
【主权项】：
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