[发明专利]栅极结构和包括该栅极结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202210859821.5 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115732547A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 李在珍;金莹俊;朴薰荣;尹泰景;李殷沃 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210859821.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：煤矿瓦斯治理及区域消突方法
- 下一篇：旋动结构
- 同类专利
- 专利分类
