[发明专利]三维集成结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210893231.4 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115458390A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 章安娜;周玉;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维集成结构及其制作方法。所述制作方法中，对应于堆叠晶圆的外围区进行第一切边工艺，形成邻接且包围有效器件区的斜切面，其中，从所述有效器件区的边缘向外，所述堆叠晶圆的厚度经所述斜切面逐渐降低，使得后续在涂敷光阻层时，所述有效器件区和斜切面的连接区域容易被所述光阻层覆盖，避免形成无光阻区而影响后续工艺，所述制作方法还对应于所述外围区的外边缘进行第二切边工艺，以形成邻接且包围所述斜切面的夹持面，不需要将夹具夹在堆叠晶圆的顶表面，可以避免夹具对堆叠晶圆顶表面造成损伤而对有效器件区内的结构和有效器件区的面积造成不良影响，有利于满足工艺要求。所述三维集成结构可采用上述制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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