[发明专利]输入电容测定电路及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210908518.X | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115704836A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 平尾柾宜;上野和起;古川怜央奈 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供使半导体装置的输入电容的测定精度提高的输入电容测定电路。还涉及半导体装置的制造方法。输入电容测定电路具有变压器、第1电容器、第2电容器及第3电容器。变压器的初级配线的一端设置为能够与半导体装置的阳极连接。变压器的初级配线的另一端与第1电容器的一端连接。变压器的次级配线的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。变压器的次级配线的另一端与第2电容器的一端连接。第3电容器的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。第1电容器的另一端、第2电容器的另一端和第3电容器的另一端彼此电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 电容 测定 电路 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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