[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202210915066.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN115313147A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 徐子杰;黄意雯;陈守龙;陈新纲 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；以及一与第二反射结构电连接的第二电极，其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位；其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上，且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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