[发明专利]集成电路芯片及其制造方法在审
申请号: | 202210915888.6 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN115701653A | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | S·D·马里亚尼;E·皮兹;D·多里亚 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 丁君军 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例涉及集成电路芯片及其制造方法。用于集成电路芯片的后段制程(BEOL)结构包括提供焊盘的最后金属结构。焊盘上的钝化结构包括第一开口,其延伸暴露焊盘的上表面。共形氮化物层在钝化结构上延伸并与焊盘的上表面接触。绝缘材料层覆盖共形氮化物层,并包括延伸穿过绝缘材料层和共形氮化物层两者的第二开口。在焊盘的上表面上的共形氮化物层的底部与第二开口自对准。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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