[发明专利]基于SOI工艺的带隙基准电路有效
| 申请号： | 202210916012.3 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN114967819B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 项勇;陈浪;戈泽宇;刘辉;唐玖虎;汪智斌 | 申请（专利权）人： | 苏州悉芯射频微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 邢彬 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市昆山开发区庆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路，采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路。由此，可基于温度补偿技术，利用横向正偏二极管结电压之差的正温度特性，并且作用在电阻R2上产生对数特性的正温度系数电流，再通过高精度电流镜像电路，在电阻R3上产生正温度系数电压，并抵消横向正偏二极管结电压的负温度系数，实现了高精度温度补偿。采用源极驱动的方式进行电压输出，极大地提高基准电压的负载驱动能力。可复用带隙基准核心电路产生的偏置电流，以节省额外的电流消耗，从而实现低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 工艺 基准 电路 | ||
【主权项】：
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