[发明专利]用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210936223.3 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115188692A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 朱焱均;燕强;赵大国;王尧林;刘康华;李雨庭 | 申请（专利权）人： | 乂易半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 牛晓 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆加工设备技术领域，涉及一种用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法。刻蚀设备包括喷涂装置、储液装置和控制装置；喷涂装置用于朝向晶圆喷涂或回收蚀刻液；储液件用于储存蚀刻液，并通过浓度传感器获取储液件内蚀刻液的浓度信号。使用本实施例的刻蚀设备时，通过设置的喷涂装置可以将蚀刻液喷涂至晶圆上，或将晶圆上的蚀刻液回收至储液装置中，通过设置在储液件内的浓度传感器对储液件内的蚀刻液的浓度进行实时监测，控制装置可以根据预设程序对刻蚀设备的刻蚀时间进行调整，以提高不同批次之间晶圆的刻蚀均匀度，从而提高加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加工 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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