[发明专利]改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器在审
| 申请号： | 202210948101.6 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115524925A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 赵成城;张轶;祁娇娇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/095;G03F7/20;G03F7/34 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 杨源鑫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器，所述改善干涉曝光的光刻对比度的方法包括：在衬底上表面涂覆底层胶；在底层胶上表面涂覆顶层胶，顶层胶的感光灵敏度大于底层胶的感光灵敏度；利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，以在所述衬底上表面形成目标光刻胶图形。采用本发明的技术方案，在衬底上依次涂覆感光灵敏度低的底层胶与感光灵敏度高的顶层胶，使得曝光场强度小的位置少感光，曝光场强度大的位置多感光，增加了曝光的光刻对比度，减少了干涉曝光的不完全曝光区，使得干涉曝光形成的光刻图形侧壁更加陡直，提高了后续刻蚀步骤的工艺效果，提高了制备器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 干涉 曝光 光刻 对比度 方法 探测器 | ||
【主权项】：
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