[发明专利]芯片封装体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210960826.7 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115565963A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 赖柏辰;游明志;林柏尧;汪金华;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种芯片封装体结构及其形成方法。芯片封装体结构包括一中介基底，其包括由一间隙区所隔开的第一及第二晶粒区。芯片封装体结构也包括分别排置于第一及第二晶粒区上的第一及第二半导体晶粒。另外，芯片封装体结构包括第一及第二间隙填充层形成于间隙区上并彼此分开，以及一第三间隙填充层位于间隙区上及第一与第二间隙填充层之间。第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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