[发明专利]半导体装置、及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210978416.5 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN116314035A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 铃木葵;大久保拓郎;竹石知之;森爱 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种适合适当地进行衬底的剥离的半导体装置、及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有衬底、第1膜、第2膜、及第3膜。第1膜配置在衬底的主面侧。第2膜隔着第1膜而配置在衬底的相反侧。第2膜的主面与第1膜的主面接触。第3膜隔着第2膜而配置在第1膜的相反侧。第3膜的衬底侧的主面具有二维分布的凸部或凹部。第3膜的与衬底为相反侧的主面平坦。第2膜对红外光的吸收率大于第3膜对红外光的吸收率。第3膜的热膨胀系数与第2膜的热膨胀系数不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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