[发明专利]高阶补偿带隙电压基准电路在审
| 申请号： | 202210985150.7 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115437442A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 魏娟;王策;李国;李宗霖;万辉 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高阶补偿带隙电压基准电路，涉及集成电路技术，本发明包括第一MOS管（MP1）、第二MOS管（MP2）、第一晶体管（Q1）、第二晶体管（Q2）、第三晶体管（Q3）、第四晶体管（Q4）、第一双运放（A1）、第二双运放（A2）、第三单运放（A3）和第四单运放（A4）。本发明不仅通过基准核之间基极电流在电阻上产生的压降，有效的对非线性的指数曲率进行了补偿，还实现了带隙电压的二倍放大，增大了基准的输出范围。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
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