[发明专利]真空装置、电子器件的制造装置在审
| 申请号： | 202211004397.2 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115714096A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 斋藤顺平 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供真空装置、电子器件的制造装置。在具备构成为能够对内部进行减压的多个腔室的真空装置中，能够在小空间内一体地输送多个腔室，减少组装时的劳力和时间。真空装置具备：第一腔室(21)；第二腔室(22)，与第一腔室(21)连结；以及支承单元(25)，支承第一腔室(21)和第二腔室(22)，支承单元(25)具备：第一台座(251)，具有固定第一腔室(21)的底面的第一固定面(251a)；第二台座(252)，具有固定第二腔室(22)的底面的第二固定面(252a)；以及连接部(253)，连接第一台座(251)和第二台座(252)，支承单元(25)通过连接部(253)进行弯曲，以使沿着第一固定面(251a)的面与沿着上述第二固定面(252a)的面所成的角的角度产生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 装置 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
