[发明专利]一种TVS器件及制造方法在审
| 申请号： | 202211004912.7 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115295546A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张轩瑞;陈美林 | 申请（专利权）人： | 上海晶岳电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海塔科专利代理事务所(普通合伙) 31380 | 代理人： | 谢安军 |
| 地址： | 200241 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TVS器件及制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个自下而上依次包括重掺杂第一导电类型的衬底及轻掺杂第一导电类型的外延的基板；在所述外延形成元胞区沟槽及终端区沟槽；在两个所述终端区沟槽之间的所述外延表面形成重掺杂第一导电类型的第一掺杂区；在所述外延表面形成具有第二导电类型的基区；在所述第一掺杂区的上方形成第二导电类型的第二掺杂区；在所述元胞区沟槽两侧形成重掺杂第一导电类型的源区。本发明基于Trench NMOS工艺改进制作TVS器件，降低了器件的箝位系数，提高静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tvs 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶岳电子有限公司，未经上海晶岳电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211004912.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：反应堆功率测量的补偿方法
- 下一篇：一种用于滤波器排布的可变组合结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
