[发明专利]一种改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法

摘要

本申请提供一种改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，包括：提供一衬底，衬底分为核心区和外围区，在衬底中形成多个隔离部件；在衬底上形成位于核心区的多个相互隔开的浮栅和位于外围区的多个相互隔开的栅极；实施第一刻蚀，露出浮栅和栅极的部分侧壁；形成图形化的光刻胶层，覆盖衬底的外围区；以图形化的光刻胶层为掩模，实施第二刻蚀，露出浮栅的整个侧壁，使浮栅之间的间隙呈倒梯形；去除图形化的光刻胶层。通过使浮栅之间的间隙呈倒梯形，改善了控制栅间隙填充的效果，进而提升闪存核心存储电路的性能；同时，简化了工艺步骤，节约制造成本。