[发明专利]半导体装置及半导体存储装置在审
| 申请号： | 202211006451.7 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN116314293A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 侧濑聪文;黄河;坂田敦子;神谷优太;松尾和展;泽敬一;高桥恒太;虎谷健一郎;刘益民 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能降低导通电阻的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间；第1绝缘层，其设置在第1电极与栅电极之间；以及第2绝缘层，其设置在第2电极与栅电极之间，在与从第1电极朝向第2电极的第1方向平行的截面中，将连结第1电极与第1绝缘层的界面的第1端部和第2电极与第2绝缘层的界面的第2端部的方向定义为第2方向，在截面中，氧化物半导体层的第1部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第1电极之间，在截面中，氧化物半导体层的第2部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第2电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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