[发明专利]基底处理设备在审
| 申请号： | 202211011661.5 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115719720A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 许硕;高次元;金贤友;洪尚俊;姜景元;金东昱;徐璟源;张永日;崔容锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境中的光致抗蚀剂膜。加湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
