[发明专利]一种聚碳硅烷熔融浸渍加压交联制备SiC基复合材料的方法有效
| 申请号： | 202211012158.1 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115417684B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 胡海峰 | 申请（专利权）人： | 湖南远辉复合材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/571;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 414000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚碳硅烷熔融浸渍加压交联制备SiC基复合材料的方法，采用仿形不锈钢浸渍容器，加入计量的聚碳硅烷，抽真空密封后加压升温，进行熔融浸渍加压交联，最后快速升温裂解，得到SiC基复合材料。本发明大大提高了聚碳硅烷的浸渍效率和裂解效率，制备周期数和制备时间大幅度缩减，聚碳硅烷的有效利用率较现有工艺提高两倍左右，显著降低了SiC基复合材料的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 熔融 浸渍 加压 交联 制备 sic 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
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