[发明专利]具有单层边缘接触的晶体管结构在审
| 申请号： | 202211017389.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115863429A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | K·P·奥布里恩;C·多罗;C·H·奈洛尔;U·E·阿夫奇;T·A·特罗尼奇;A·V·佩努马查;K·马克西;S·李;S·B·克伦邓宁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;周学斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及具有单层边缘接触的晶体管结构。在本文中描述的实施例可以和与晶体管结构有关的装置、工艺和技术有关，所述晶体管结构包括在栅极金属上的氧化物材料内的单层。可以存在这些结构的堆叠。在实施例中，可以包括半导体材料的单层可以包括堆叠在彼此的顶部上的多个单层片。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单层 边缘 接触 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211017389.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
