[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211017967.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115440865A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 洪加添;陈威;何勇 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 董晗 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，在N型半导体层远离衬底的一面沉积绝缘层，且绝缘层围绕量子阱层、P型半导体层以及N电极设置，因此在PN分界处优先覆盖绝缘材料，能够在Mesa刻蚀之后ITO层溅射之前生成绝缘层，减少PN分界处因ITO导电物质产生的微漏电；并且通过设置绝缘层，相较于现有技术能够提高ITO层的面积，增加发光效率并提高芯片亮度，同时在应用端也能充分避免PN分界处的其他导电杂质驻留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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