[发明专利]一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法在审
| 申请号： | 202211020083.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115346877A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 徐大为;徐蓓蕾;曹利超;施辉;徐何军;王印权;吴建伟;葛超洋;黄天 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;H01L23/552 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，包括如下步骤：首先提供P型外延层，在P型外延层上依次形成二氧化硅层和氮化硅层；接着刻蚀形成STI隔离槽，对STI隔离槽底部和侧壁注入氮和氧；然后进行高温退火，使用LPCVD再生长一层氮化硅；填充HDP介质并退火，并对HDP介质进行平坦化；最后进行Flash高压阱注入、隧道氧化生长、浮栅多晶淀积、ONO淀积、控制栅多晶淀积、多晶刻蚀、LDD注入、侧墙淀积及刻蚀、源漏注入，后续工艺遵循通用的0.13μmFlash工艺制程。本发明提供的方法中STI侧壁形成的NON结构稳定，不受后续工艺制造热过程的影响；与通用的Flash工艺兼容型强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 flash 存储 器件 辐射 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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