[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202211024990.3 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115734672A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 原健吾;大东彻;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;高畑仁志 | 申请（专利权）人： | 夏普显示科技株式会社 |
| 主分类号： | H10K59/123 | 分类号： | H10K59/123;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有：第1氧化物半导体层，其包含第1沟道区域；第1栅极电极，其配置在第1氧化物半导体层的基板侧；沟道保护层，其配置在第1氧化物半导体层的与基板相反的一侧，覆盖第1沟道区域；以及比沟道保护层靠上层的第1源极电极和第1漏极电极，第2TFT具有：第2氧化物半导体层；第2栅极电极，其配置在第2氧化物半导体层的与基板相反的一侧；以及第2源极电极和第2漏极电极，其配置在覆盖第2栅极电极的层间绝缘层上，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是由相同的层叠氧化物半导体膜形成的，第1TFT的沟道保护层与第2TFT的栅极绝缘层是由相同的绝缘膜形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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