[发明专利]一种半导体溅射钽环的修复方法在审
| 申请号： | 202211035566.9 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115319399A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;冯周瑜;陈玉蓉 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23P6/00 | 分类号： | B23P6/00 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 韩承志 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体溅射钽环的修复方法，包括：(Ⅰ)将分布在环件本体外壁的凸结体由所述环件本体的表面分离，得到第一环体，所述第一环体的表面形成预留槽；(Ⅱ)对所述第一环体进行酸洗，去除表面的附着物；(Ⅲ)车削所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角，去除表面的残留物质；(Ⅳ)在所述预留槽内填充垫片，得到第二环体，并对所述第二环体进行粗糙化处理；(Ⅴ)取出所述垫片，将所述凸结体分别固定在所述预留槽内，完成修复。本发明实现了溅射钽环的再利用，大大降低了半导体溅射钽环的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 溅射 修复 方法 | ||
【主权项】：
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