[发明专利]一种深紫外LED芯片的返工方法在审
| 申请号： | 202211042446.1 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115360271A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 邱小龙;罗红波;王梦祥;张会雪;陈景文 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；对深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；采用BOE溶液浸泡深紫外LED芯片；对深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；采用返工液浸泡深紫外LED芯片；清水冲洗深紫外LED芯片，返回进行制程工序。本发明通过一次酸浸‑表面刻蚀‑BOE溶液浸泡‑二次酸浸‑返工液浸泡的工艺，使经返工后的外延片发光效果接近与正常外延片的发光效果，有效避免了传统强酸或强碱浸泡时间长，易造成损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 芯片 返工 方法 | ||
【主权项】：
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