[发明专利]一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法有效

专利信息
申请号: 202211048823.2 申请日: 2022-08-30
公开(公告)号: CN115418704B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 周庆;廖雪峰;吴岱丰;唐永利;卢其云;曾炜炜;卢赐福;唐仁衡 申请(专利权)人: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所;惠州市福益乐永磁科技有限公司
主分类号: C30B9/12 分类号: C30B9/12;C30B29/52;C22C38/00
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 朱聪聪;莫瑶江
地址: 510650 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法。本发明采用RE‑Fe‑B‑M生长体系进行RE2Fe14B单晶生长。母合金原料RExFe100‑x‑yBy(25≤x≤40;15≤y≤30)中RE为稀土元素Nd、Pr、Dy、Tb、Ce和Y的其中一种或多种混合,熔炼形成母合金铸锭,破碎后与助溶剂M混合置于氧化锆坩埚中,助溶剂M为Mg、Cu和Ga的其中一种。再将坩埚置于石英管中进行真空封管。然后,将密闭石英管置于马弗炉中,进行升温‑保温‑缓冷降温‑水淬。最后,将样品取出后粗破碎,放入腐蚀液体中进行晶界腐蚀,最后剥离得到若干RE2Fe14B单晶颗粒。该RE2Fe14B单晶制备方法的设备成本低、流程简单、一次可制备多个高质量单晶,适用于普遍实验室和工业化研究。
搜索关键词: 一种 稀土 永磁 熔剂 生长 方法
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