[发明专利]RF LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202211059488.6 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148799B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RF LDMOS器件及其制作方法。所述RF LDMOS器件包括衬底，位于衬底上的外延层，位于外延层上的源极结构、漏极结构和栅极，所述外延层内形成有沿第一方向间隔设置的源区和漏区，所述源极结构与源区、外延层电连接，所述漏极结构与漏区电连接，所述漏极结构包括沿第二方向依次设置的漏区锗硅接触区、第一金属锗硅化物区、第一接触孔区和第一金属区，所述漏区锗硅接触区与所述漏区电连接，且所述漏区锗硅接触区与第一金属锗硅化物区形成欧姆接触。本发明实施例中提供的一种RF LDMOS器件，能够在降低RF LDMOS的寄生输出电容的同时带来比较少的热过程。 | ||
| 搜索关键词： | rf ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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