[发明专利]太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池在审
申请号: | 202211067403.9 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN115483310A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 三一硅能(株洲)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 任少瑞 |
地址: | 412000 湖南省株洲市石峰区铜塘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及光伏技术领域,提供一种太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池,太阳电池的制备方法包括对硅片的表面进行制绒清洗;在硅片正面的制绒面制备浅结,或,在硅片正面的制绒面制备正面隧穿氧化钝化接触结构;在硅片上印刷金属浆料并烧结;通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理,使硅片的正面形成具有选择性的发射极。可以有效降低太阳电池表面的少子的复合速度,提高短波段的光谱响应,采用激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理,增加金属浆料与硅片的接触面积,使正面金属浆料和硅片形成欧姆接触,有效增加短路电流和开路电压,金属接触部分不需要进行二次掺杂形成重掺杂,可以使用低接触特征的浆料,有效降低成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 制备 方法 发射 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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