[发明专利]太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池在审

专利信息
申请号: 202211067403.9 申请日: 2022-09-01
公开(公告)号: CN115483310A 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 三一硅能(株洲)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 任少瑞
地址: 412000 湖南省株洲市石峰区铜塘*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及光伏技术领域,提供一种太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池,太阳电池的制备方法包括对硅片的表面进行制绒清洗;在硅片正面的制绒面制备浅结,或,在硅片正面的制绒面制备正面隧穿氧化钝化接触结构;在硅片上印刷金属浆料并烧结;通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理,使硅片的正面形成具有选择性的发射极。可以有效降低太阳电池表面的少子的复合速度,提高短波段的光谱响应,采用激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理,增加金属浆料与硅片的接触面积,使正面金属浆料和硅片形成欧姆接触,有效增加短路电流和开路电压,金属接触部分不需要进行二次掺杂形成重掺杂,可以使用低接触特征的浆料,有效降低成本。
搜索关键词: 太阳电池 制备 方法 发射
【主权项】:
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