[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202211068060.8 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN116133420A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 杨世怜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：衬底，包括有源图案，该有源图案包括彼此间隔开的第一源/漏区和第二源/漏区；位线，电连接到第一源/漏区并跨过有源图案；存储节点接触部，电连接到第二源/漏区；间隔物结构，在位线和存储节点接触部之间；着接焊盘，电连接到存储节点接触部；绝缘图案，在间隔物结构上并与着接焊盘相邻；以及衬层，在绝缘图案和着接焊盘之间。该绝缘图案可以包括：上绝缘部分和下绝缘部分，下绝缘部分在上绝缘部分和间隔物结构之间。下绝缘部分的最大宽度可以大于上绝缘部分的最小宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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