[发明专利]一种横向混合载流子控制器件

摘要

本发明公开了一种混合型载流子控制器件，属于功率半导体技术领域。主要工作单元、PMOS区、载流子分布区、绝缘区以及衬底区；所述主要工作单元和所述PMOS结构分别设置在隔离区两边。本发明解决了现有横向功率器件电流密度较小、导通功耗大、导通压降与关断损耗折衷关系差、实用性差的问题。本发明在常规横向晶闸管器件的基础上，利用掺杂浓度和面积都不相同的两个P型区域，另外在高掺杂浓度的P型区域左侧引入低掺杂的P型区域，形成耗尽型PMOS结构，实现对电子与空穴载流子进行分流控制的目的。